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SK海力士:开发出238层4D NAND闪存

来源:贴片电容 发布时间:2022-08-05 浏览:6

8月2日,SK海力士表示开发出了业界最高的238层NAND Flash产品。


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图源:SK海力士


SK海力士宣称新的238层芯片是最小的NAND闪存芯片,数据传输速度相比上代产品提升50%,读取数据消耗的能量降低21%,它可以用于PC存储设备、智能手机和服务器。据悉,SK海力士准备于2023年上半年开始大规模生产新芯片。


SK海力士自2018年开发出96层NAND产品后,推出了超越现有3D产品的4D系列产品。该公司已经应用电荷阱闪光(CTF)和外围电池(PUC)技术来制作4D结构的芯片。与3D相比4D产品的单元面积更小,生产效率更高


目前,大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片,但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。今年稍早,美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称,将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片,预定在2024年正式面世。


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图:美光宣布率先量产232层堆栈NAND


参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存,业界猜测可达224层,传输速度和生产效率将提高30%。而美光则在8月初宣布,已经提前量产全球首款232层3D NAND芯片


中国最大NAND闪存制造商长江存储近日发布了第四代TLC三维闪存X3-9070,据媒体称至少已经接近或突破200层大关


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